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3-nm-Fertigung mit GAAFETs soll sich bei Samsung bis 2024 verzögern

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Laut ursprünglichen Plänen von 2019 sollte Samsungs erste Halbleitermassenproduktion mit "Gate-All-Around"-Feldeffektransistoren (GAAFETs) und 3-Nanometer-Strukturbreite bereits in diesem Jahr anlaufen. Nun ist jedoch von allerfrühestens 2023 die Rede.

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